[24p-P04-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[24p-P04-7] 2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの電気伝導特性評価

〇神尾 岳¹、金田 洸貴¹、平田 拓也¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：窒化ガリウム、陽極酸化

GaN系電子デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、電気化学的に通電したn-GaNを通電後にウェットエッチングする2段階エッチング法を2019年に提案した。この方法における通電領域のn-GaNは被エッチングされる材料であるが、新たなデバイス応用への可能性も念頭に、この通電部分のn-GaNの材料物性を調べることは重要である。今回、通電による陽極酸化により電気伝導特性の変調が可能であることが分かった。