[24p-P04-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[24p-P04-9] 第一原理計算に基づくAlN(0001)表面上のGaN層の構造安定性評価

〇(M1)足道 悠¹、秋山 亨¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、結晶成長、第一原理計算

AlN(0001)上に成長するGaN層における表面構造および安定性の膜厚依存性を第一原理計算に基づき検討する。AlN(0001)表面上のGaN層の表面再構成として様々な構造を考慮して表面エネルギーをwedge-shape geometry法によって算出し、GaNの表面構造安定性および表面エネルギーに対するGaN膜厚の効果を議論する。安定となる表面構造がGaの化学ポテンシャルに依存して変化する。また、この表面構造および表面エネルギーは2 bilayer以上のGaN層においても大きな変化はなく、表面の安定性においては膜厚依存性がないことが推測される。講演では、表面での原子の吸着・脱離の挙動に関する計算結果についても議論する。