[24p-P07-1~7] 3.9 テラヘルツ全般

[24p-P07-6] 厚膜シリコンにおける透過テラヘルツ電場波形に対する光励起の影響

〇守安 毅¹、佐藤 宏樹¹、上遠野 修大¹、小出 大士朗¹、笹島 秀樹¹、谷 正彦²、北原 英明²、河本 敏郎³、熊倉 光孝¹ (1.福井大院工、2.福井大遠赤セ、3.神戸大院理)

キーワード：キャリアダイナミクス

光ポンプ・テラヘルツプローブ測定において，侵入長を超えるサンプルにおけるキャリアダイナミクスの議論は，不均一なキャリア分布とキャリアの拡散効果によって困難になる．本研究では，励起波長 800 nm の侵入長程度である厚さ ~10 μm の厚膜シリコンを対象に OPTP 測定を行い光励起によって生じた振幅とピーク時刻の変化に着目してキャリアダイナミクスの議論を行う．