[24p-P10-1~4] 16.3 シリコン系太陽電池

[24p-P10-1] Cat-CVD SiN_x膜を表面に有するp型結晶Si太陽電池セルモジュールの電圧誘起劣化

〇石川 凌一¹、板坂 年希¹、Cam Tu Huynh Thi¹、立花 福久²、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、SiNx 膜

Cat-CVDで屈折率の異なるSiN_xを製膜したp型セルモジュールの電圧誘起劣化挙動を調査した。6時間のPID試験前後の1 sun光照射下でのJ–V特性を測定したところ、今回の試料では、SiN_xの屈折率増大とともにFFのより大きな低下がみられた。これは、一般的な傾向と異なっており、SiN_xの屈折率以外の膜物性がNa侵入やPID挙動に影響を及ぼしている可能性を示唆する。