[24p-P10-1~4] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[24p-P10-3] Potential-induced degradation of encapsulant-less p-type crystalline Si photovoltaic modules

〇Shuntaro Shimpo¹, Keisuke Ohdaira¹, Huynh Thi Cam Tu¹ (1.JAIST)

Keywords:encapsulant-less PV module

封止材無しp型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化(PID)を調査した。封止材無しモジュールには、高いPID耐性があることを確認した。従来型モジュールはカバーガラスから封止材のエチレン酢酸ビニル共重合樹脂(EVA)を経由して移動したNaイオンのc-Siセルへの侵入による積層欠陥の形成によりPIDが発生する。これに対し、封止材無しモジュールでは、Naの侵入経路であるEVAがないためPIDが抑制できたと考えられる。