[24p-P10-1~4] 16.3 シリコン系太陽電池

[24p-P10-3] 封止材無しp型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化

〇新保 俊大朗¹、大平 圭介¹、Huynh Thi Cam Tu¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

キーワード：封止材無し太陽電池モジュール

封止材無しp型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化(PID)を調査した。封止材無しモジュールには、高いPID耐性があることを確認した。従来型モジュールはカバーガラスから封止材のエチレン酢酸ビニル共重合樹脂(EVA)を経由して移動したNaイオンのc-Siセルへの侵入による積層欠陥の形成によりPIDが発生する。これに対し、封止材無しモジュールでは、Naの侵入経路であるEVAがないためPIDが抑制できたと考えられる。