[25a-D114-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[25a-D114-2] 非晶質Ge/SiO₂のMg誘起横方向成長に及ぼすMg拡散の影響

〇森本 敦己¹、阿部 陸斗¹、平井 杏奈¹、平井 杜和¹、高倉 健一郎¹、角田 功¹ (1.熊本高専)

キーワード：半導体、結晶性

我々は，Mgを用いた非晶質Ge薄膜の横方向固相成長過程において拡散するMg濃度に着目し評価した．この結果，Mgでも非晶質Ge薄膜の横方向成長が誘起され，Mg膜厚が厚膜であるほど横方向成長距離が拡大することが判明した．また，非晶質Ge薄膜のMg誘起成長では，40%程度のMg原子を非晶質Ge薄膜中に混入させることが不可欠であり， Ge薄膜内に拡散するMg原子の総量が横方向成長距離に影響を及ぼしていることが分かった．