2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

[25a-D114-1~7] 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2022年3月25日(金) 09:30 〜 11:15 D114 (D114)

志村 洋介(静岡大)

10:00 〜 10:15

[25a-D114-3] 「核生成層」の導入による固相成長 Ge 薄膜の高品質化

〇前田 真太郎1、石山 隆光1、今城 利文1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院)

キーワード:ゲルマニウム、薄膜、固相成長

高機能デバイスの実現を目指し、絶縁体基板上にGe系薄膜を形成する研究が活発化し ている。我々は固相成長(SPC)における非晶質前駆体の密度制御により、Ge系薄膜の大粒径化と最高移動度を達成した。本法では核発生と横方向成長のバランスが結晶粒径を決定し、また、界面核起因の結晶は低品質との報告もある。今回、深さ方向の核発生位置を制御する「核生成層」の導入を提案するとともに、その検証実験を行った。