[25a-D114-1~7] 15.5 Group IV crystals and alloys

[25a-D114-3] Improvement of solid-phase crystallized Ge thin films using nucleation layer

〇Shintaro Maeda¹, Ishiyama Takamitsu¹, Toshifumi Imajo¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:Germanium, Thin film, Solid phase crystallization

高機能デバイスの実現を目指し、絶縁体基板上にGe系薄膜を形成する研究が活発化し ている。我々は固相成長（SPC）における非晶質前駆体の密度制御により、Ge系薄膜の大粒径化と最高移動度を達成した。本法では核発生と横方向成長のバランスが結晶粒径を決定し、また、界面核起因の結晶は低品質との報告もある。今回、深さ方向の核発生位置を制御する「核生成層」の導入を提案するとともに、その検証実験を行った。