[25a-D114-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[25a-D114-3] 「核生成層」の導入による固相成長 Ge 薄膜の高品質化

〇前田 真太郎¹、石山 隆光¹、今城 利文¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大院)

キーワード：ゲルマニウム、薄膜、固相成長

高機能デバイスの実現を目指し、絶縁体基板上にGe系薄膜を形成する研究が活発化し ている。我々は固相成長（SPC）における非晶質前駆体の密度制御により、Ge系薄膜の大粒径化と最高移動度を達成した。本法では核発生と横方向成長のバランスが結晶粒径を決定し、また、界面核起因の結晶は低品質との報告もある。今回、深さ方向の核発生位置を制御する「核生成層」の導入を提案するとともに、その検証実験を行った。