[25a-E102-1~5] 17.3 層状物質

[25a-E102-4] イオンゲートによるCr₃Te₄の磁性変調

〇梶原 駿¹、松岡 秀樹²、王 越¹、中野 匡規^1,2,3、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS、3.JST-PRESTO)

キーワード：薄膜、磁性

バルクで室温強磁性を示すCr₃Te₄の薄膜試料では、薄膜作製条件を調節することで強磁性転移温度や磁気異方性などの磁気特性を大きく変調できることが分かっている。一方、イオンゲートによるキャリアドーピングは、2次元物質の物性を制御する手法として有効であることが知られている。本発表では、MBE法により作製したCr₃Te₄の薄膜試料に対してイオンゲートを適用した結果について報告する。