[25a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[25a-E203-1] Improvement of crystalline quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by MOVPE using post-growth annealing with TMGa

〇Masataka Imura¹, Hideki Inaba¹, Takaaki Mano¹, Nobuyuki Ishida¹, Fumihiko Uesugi¹, Yoko Kuroda¹, Yoshiko Nakayama¹, Masaki Takeguchi¹, Yasuo Koide¹ (1.NIMS)

Keywords:MOVPE, AlN, Post-growth annealing

2016年スパッタ堆積法とポストアニール処理法(>1600℃)を用いて高品質AlN/サファイア基板が得られることが報告されたが、製造コスト削減の観点からMOVPE一貫プロセスにて高品質AlN/サファイア基板を得ることが望まれている。今回我々は、MOVPE成長後のAlN/サファイア基板をTMGa添加しながらポストアニール処理することにより、AlNの結晶性の改善が実現できることを見出したので報告する。