2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[25a-E204-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2022年3月25日(金) 09:00 〜 12:00 E204 (E204)

小倉 政彦(産総研)、大谷 亮太(旭ダイヤ)

09:00 〜 09:15

[25a-E204-1] [第51回講演奨励賞受賞記念講演] 二次元核形成を抑制した高濃度窒素ドープダイヤモンド成長技術の開発

〇中野 裕太1、稲垣 秀1、小林 和樹1、春山 盛善2、加藤 宙光2、Christoph E. Nebel1,3、張 旭芳1、松本 翼1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)

キーワード:ダイヤモンド、窒素、核形成

本研究では、ラテラル成長ベースに窒素ドーピング成長を行い、膜中窒素濃度、成長レート、二次元核形成密度について調査した。また、成長モードの違いによるNVの配向率Cとスピン緩和時間T2も調査した。その結果、ラテラル成長モードをベースにすることで、二次元核形成を抑制しつつ、20乗を超える高濃度ドーピングを達成した。さらに、CT2も良い特性が得られたことから、窒素ドープラテラル成長の優位性を示した。