[25a-E204-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[25a-E204-1] [第51回講演奨励賞受賞記念講演] 二次元核形成を抑制した高濃度窒素ドープダイヤモンド成長技術の開発

〇中野 裕太¹、稲垣 秀¹、小林 和樹¹、春山 盛善²、加藤 宙光²、Christoph E. Nebel^1,3、張 旭芳¹、松本 翼¹、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、徳田 規夫¹ (1.金沢大、2.産総研、3.Diacara)

キーワード：ダイヤモンド、窒素、核形成

本研究では、ラテラル成長ベースに窒素ドーピング成長を行い、膜中窒素濃度、成長レート、二次元核形成密度について調査した。また、成長モードの違いによるNV^－の配向率Cとスピン緩和時間T₂も調査した。その結果、ラテラル成長モードをベースにすることで、二次元核形成を抑制しつつ、20乗を超える高濃度ドーピングを達成した。さらに、CとT₂も良い特性が得られたことから、窒素ドープラテラル成長の優位性を示した。