[25a-E204-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[25a-E204-4] Pイオン注入ダイヤモンド中におけるP原子局所構造分析(II)

〇星野 靖¹、関 裕平¹、光原 圭² (1.神奈川大理、2.立命館大GIRO)

キーワード：ダイヤモンド半導体、ドーピング、局所構造

ダイヤモンド中へイオン注入によりドーピングされた不純物P原子の局所構造について、X線吸収端微細構造分析および２次イオン質量分析法により調べた。注入されたP原子は主にOまたはHと結合している可能性が高いことが示された。本発表では、OやHが混入した過程と不純物P原子の電気的不活性化の起源について、更なるXANES深さ方向分析とSIMSによる元素分析より明らかになったことを報告する。