[25a-E204-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[25a-E204-6] 3次元バルクCVD成長によるダイヤモンド結晶の高品質化

〇嶋岡 毅紘¹、山田 英明¹、坪内 信輝¹、杢野 由明¹、茶谷原 昭義¹ (1.産総研)

キーワード：転位密度、化学気相成長

本研究では、バルクダイヤモンド化学気相成長(CVD)技術を応用した転位密度の低減手法を報告する。CVD法によるダイヤモンド{100}成長では、転位の大部分は成長方向である[001]方向に伝搬する。この特徴を利用し、[001]方向へのバルク結晶成長後、 [100]方向に追成長を行い、エッチピットによる転位密度評価を行った。追成長面では基板と比較し、1桁転位密度が減少した。