[25a-E205-1~9] 12.1 Fabrications and Structure Controls

[25a-E205-2] Increased off-state current of OFETs due to deposition of molybdenum trioxide

〇Rei Mizoguchi¹, Naoki Akiyama¹, Sayaka Hiruta¹, Masaki Kobayashi¹, Masahiro Kashiwazaki¹, Norio Onojima¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:Organic Field Effect Transitor, Molybdenum trioxide, Off-state current

我々は，低環境負荷な溶媒を用いたESD法によりTIPS pentacene/PMMAブレンド膜を作製し，垂直相分離による密着性の高いTIPS pentacene/PMMA界面の形成，および良好な特性を示すOFETの作製について報告してきた．さらなる特性向上のため，デバイス表面にMoO₃を堆積した．しかし，デバイス表面にMoO₃を堆積させることによってオフ電流の増加が見られた．これは，導電性の表面チャネルが形成されたためと考えられる．そこで今回，オフ電流増加の原因を考察したので報告する．