[25a-E205-1~9] 12.1 作製・構造制御

[25a-E205-2] 三酸化モリブデンの堆積によるOFETのオフ電流増加

〇溝口 嶺¹、秋山 直輝¹、蛭田 紗佳¹、小林 雅季¹、柏崎 正篤¹、小野島 紀夫¹ (1.山梨大工)

キーワード：有機電界効果トランジスタ、三酸化モリブデン、オフ電流

我々は，低環境負荷な溶媒を用いたESD法によりTIPS pentacene/PMMAブレンド膜を作製し，垂直相分離による密着性の高いTIPS pentacene/PMMA界面の形成，および良好な特性を示すOFETの作製について報告してきた．さらなる特性向上のため，デバイス表面にMoO₃を堆積した．しかし，デバイス表面にMoO₃を堆積させることによってオフ電流の増加が見られた．これは，導電性の表面チャネルが形成されたためと考えられる．そこで今回，オフ電流増加の原因を考察したので報告する．