[25a-E301-1~9] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25a-E301-3] 4H-SiC結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性

松下 大記¹、佐藤 真一郎²、大島 武²、〇土方 泰斗¹ (1.埼玉大院、2.量研)

キーワード：炭化ケイ素、窒素空孔センタ、偏光