[25a-E301-1~9] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25a-E301-4] SiC基板の偏光観察における欠陥コントラスト生成メカニズム

〇原田 俊太¹、村山 健太² (1.名古屋大、2.Mipox株式会社)

キーワード：偏光観察、半導体基板、欠陥

光学異方性を加味した偏光強度の理論的な検討を行うことにより、SiC基板の偏光観察におけるコントラスト生成メカニズムを解明した。