[25a-E301-1~9] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25a-E301-5] 4H-SiC結晶における貫通刃状転位の上昇運動を考慮した転位動力学シミュレーション

〇別役 潔¹、星乃 紀博¹、鎌田 功穂¹、神田 貴裕²、土田 秀一¹ (1.電中研、2.ミライズ)

キーワード：転位、SiC、結晶成長

4H-SiC結晶における貫通刃状転位間(TED)について上昇運動を考慮した転位動力学法シミュレーションを行った。バーガース・ベクトルが逆向きの二つのTEDに対して計算を行った結果、すべり面の異なるTEDが対消滅するという結果を得た。講演においては、ウェハ中の複数のTEDに対する結果についても議論する。