[25a-E301-1~9] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25a-E301-7] 4H-SiCエピタキシャル成長層における二重菱形形状単一ショックレー型積層欠陥の解析

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：炭化珪素、積層欠陥、基底面転位

4H-SiCエピ層中の単一ショックレー型積層欠陥(1SSF)の形状の違いによる成因分析を進めている。基底面転位(BPD)のバーガーズベクトルが±(1/3)[11-20]の完全らせん基底面転位から拡張する場合、直角三角形状の1SSFに拡張する。他のバーガーズベクトルを持つBPDから拡張する1SSFの中から二重菱形形状の1SSF(DRSF)を今回実験的に確認し構造解析を行った。