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[25a-E301-7] 4H-SiCエピタキシャル成長層における二重菱形形状単一ショックレー型積層欠陥の解析
キーワード:炭化珪素、積層欠陥、基底面転位
4H-SiCエピ層中の単一ショックレー型積層欠陥(1SSF)の形状の違いによる成因分析を進めている。基底面転位(BPD)のバーガーズベクトルが±(1/3)[11-20]の完全らせん基底面転位から拡張する場合、直角三角形状の1SSFに拡張する。他のバーガーズベクトルを持つBPDから拡張する1SSFの中から二重菱形形状の1SSF(DRSF)を今回実験的に確認し構造解析を行った。