[25a-E301-1~9] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [25a-E301-8] n 型4H-SiC エピ膜中の様々な積層欠陥による電流制限効果

〇浅田 聡志¹、村田 晃一¹、土田 秀一¹ (1.電中研)

キーワード：炭化ケイ素、積層欠陥、量子井戸

低損失パワーデバイス用材料として有望なSiC であるが、そのエピ層中には依然として様々な種類の積層欠陥(SF)が存在している。しかし、それらのSF がSiC デバイスの電気特性に与える影響は定量的には明らかでない。そこで本研究では、動作面積内に占有率1 でSF を有するn 型ショットキーダイオード(SBD)を作製し、電流-電圧特性やその温度依存性を評価することで、SF が電気特性に与える影響を実験的に明らかにした。