[25a-E304-1~9] 12.2 評価・基礎物性

[25a-E304-3] C₃対称性を有するトリプチセン誘導体Trip-Phzによる分子性ハニカム格子の電子構造と分子配列

〇(B)瀬間 亮太¹、山内 早希¹、後口 遼¹、根本 諒平²、内橋 隆²、福谷 圭佑³、解良 聡³、水津 理恵^1,4、阿波賀 邦夫¹ (1.名大理・名大院理、2.物材機構、3.分子研、4.JSTさきがけ)

キーワード：トリプチセン誘導体、走査トンネル顕微鏡、光電子分光

清浄化したAg(111)基板上にC₃対称性を有するトリプチセン誘導体Trip-Phz分子を蒸着し、走査トンネル顕微鏡による観察を行ったところ、ハニカム格子を形成していることがわかった。この構造を基にバンド計算を行ったところ、ディラックコーンとともにフラットバンドが含まれていた。そこで気相光電子分光およびバルク膜の光電子分光測定を行った。当日はその結果についても議論する。