[25a-F307-1~8] 6.4 薄膜新材料

[25a-F307-7] α-Ga₂O₃厚膜の作製

〇若松 岳¹、高根 倫史¹、金子 健太郎¹、田中 勝久¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム

α-Ga₂O₃はワイドバンドギャップ半導体材料として応用が期待されており、厚膜の成膜はデバイス化や物性評価において重要である。本研究ではミストCVD法によるα-Ga₂O₃の厚膜成長に基板温度や原料組成が及ぼす影響について検討を行った。厚膜化において低塩酸濃度の原料溶液ではα相とκ相が生じたが、高塩酸濃度の溶液ではα相の単相が得られた。また基板温度が低く、塩酸濃度が高いほど単位時間あたりに得られる膜厚の増加が示唆された。