[25a-P05-1~3] 15.1 バルク結晶成長

[25a-P05-2] Cz法シリコン単結晶成長時の組成的過冷却に関する数値解析とその評価

〇向山 裕次¹、福井 勇希²、太子 敏則²、Kalaev Vladimir³、Artemiev Vladimir³、末岡 浩治⁴ (1.岡山県立大院情報系工、2.信大工、3.STR Group,Inc、4.岡山県立大情報工)

キーワード：シリコン、組成的過冷却、Cz法

Cz法によるSi単結晶成長中の過剰なヘビードーピングにより，Si単結晶の品質が低下することが知られている．品質低下の要因は，固液界面の組成的過冷却に起因する形態的不安定性であると考えられている．高品質なヘビードープSi単結晶を成長させるためには，組成的過冷却を制御する必要がある．本研究では，Cz法によるSi単結晶成長における組成的過冷却の数値解析モデルを構築し，実験結果を用いてその解析結果の評価を行った．