Interface chemical reaction in MBE growth of MgF<sub>2</sub> on Si: Towards a new growth technique for epitaxial MgSiN<sub>2</sub>

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

2022年3月25日(金) 13:00 〜 14:15 D113 (D113)

13:30 〜 13:45

〇ZHEFU LIU¹、Takuya Hoshii¹、Kuniyuki Kakushima¹、Hitoshi Wakabayashi¹、Kazuo Tsutsui¹ (1.Tokyo Tech)

キーワード：Crystal growth, MgF2