[25p-D113-1~5] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[25p-D113-5] MBE成長SnTe薄膜のシングルドメイン化

〇(B)坪井 海人¹、蘇 楠¹、小林 昇太郎¹、杉本 昂大¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：半導体、トポロジカル結晶絶縁体、分子線エピタキシー

トポロジカル結晶絶縁体は、スピントロニクスへの応用等で注目されている。トポロジカル結晶絶縁体になるとされているSnTeのMBE成長を試みた。これまで作製したSnTe薄膜は、(100)と(111)の複数ドメインにて結晶成長がなされていたが、本研究では(100)シングルドメイン薄膜の作製を目指した。