2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

[25p-D114-1~16] 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2022年3月25日(金) 13:00 〜 17:15 D114 (D114)

有元 圭介(山梨大)、牧原 克典(名大)

15:45 〜 16:00

[25p-D114-11] カーボンドープシリコンナノワイヤ内の格子面間隔分布の検討

〇広沢 一郎1,2、吉岡 和俊3、小笠原 凱3、張 桐永3、伊藤 佑太3、寿川 尚1,3、渡辺 剛4、横川 凌2,3、小椋 厚志2,3 (1.九州シンクロトロン光研究センター、2.明大MREL、3.明治大理工、4.高輝度光科学研究センター)

キーワード:シリコン、歪、ナノワイヤー

Si(001)基板上に形成されたCドープSiナノワイヤー内の格子歪分布を337回折周辺のX線逆格子空間マッピングより得られた散乱強度分布より検討した。[110]に平行な長さ10000 nmの長辺と[-110]に平行な短辺幅100 nmのナノワイヤーで観測された2つのピークは、格子歪がナノワイヤー全体に分布したモデルで説明できることがわかった。一方短辺幅500 nmのナノワイヤーでは単独のピークの周囲に散漫散乱様のパターンが観測され、ナノワイヤーの中央部に[-110]方向の格子面間隔が一定の領域がある可能性が示された。