[25p-D114-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[25p-D114-11] カーボンドープシリコンナノワイヤ内の格子面間隔分布の検討

〇広沢 一郎^1,2、吉岡 和俊³、小笠原 凱³、張 桐永³、伊藤 佑太³、寿川 尚^1,3、渡辺 剛⁴、横川 凌^2,3、小椋 厚志^2,3 (1.九州シンクロトロン光研究センター、2.明大MREL、3.明治大理工、4.高輝度光科学研究センター)

キーワード：シリコン、歪、ナノワイヤー

Si(001)基板上に形成されたCドープSiナノワイヤー内の格子歪分布を337回折周辺のX線逆格子空間マッピングより得られた散乱強度分布より検討した。[110]に平行な長さ10000 nmの長辺と[-110]に平行な短辺幅100 nmのナノワイヤーで観測された２つのピークは、格子歪がナノワイヤー全体に分布したモデルで説明できることがわかった。一方短辺幅500 nmのナノワイヤーでは単独のピークの周囲に散漫散乱様のパターンが観測され、ナノワイヤーの中央部に[-110]方向の格子面間隔が一定の領域がある可能性が示された。