[25p-D114-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [25p-D114-13] Evaluation of temperature variation in Debye-Waller factor of single crystal bulk SiGe by XAFS

〇Kazutoshi Yoshioka¹, Gai Ogasawara¹, Shusei Hanafusa¹, Yukihito Nishi¹, Yasutomo Arai², Ichiro Hirosawa³, Takeshi Watanabe⁴, Ryo Yokogawa^1,5, Atsushi Ogura^1,5 (1.Meiji Univ., 2.JAXA, 3.SAGA-LS, 4.JASRI, 5.MREL)

Keywords:SiGe, XAFS

単結晶バルクSiGe（Ge組成比32, 45%）のXAFS測定を10 Kから600 Kまで温度を変化させながら行った。10 Kを基準としたDebye-Waller因子の変化量と温度の関係から、Ge組成比や歪状態は原子振動にほとんど影響を与えないことが明らかになった。また、Einsteinモデルを用いてSiGeのEinstein温度を推定し、Ge組成比の増加に対して単調に減少する傾向を確認した。