[25p-D114-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [25p-D114-15] PLスペクトル解析による無歪GeSn(Sn 9%)バンド構造の検討

〇佐竹 雄太¹、松永 靜流¹、小笠原 凱¹、伊藤 佑太¹、横川 凌^1,2、志村 洋介^3,4、Roger Loo⁵、Anurag Vohra^5,6、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.静大院工、4.静大電研、5.imec、6.K. U. Leuven)

キーワード：無歪GeSn

GeはSn添加や引張歪の印加でバンドギャップが縮小し，直接遷移型半導体への変調が可能である．高効率の発光・受光材料としての応用を目的として，Geを直接遷移化するために必要なSn組成が検討されている．本報告では，歪印加によるバンドギャップ縮小とSn添加によるバンドギャップ縮小を分けて議論するため，無歪GeSn(Sn 9%)のPL測定で検出された発光線の帰属を以前の報告より詳細に考察し，そのバンド構造を議論する．