2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

[25p-D114-1~16] 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2022年3月25日(金) 13:00 〜 17:15 D114 (D114)

有元 圭介(山梨大)、牧原 克典(名大)

16:45 〜 17:00

[25p-D114-15] PLスペクトル解析による無歪GeSn(Sn 9%)バンド構造の検討

〇佐竹 雄太1、松永 靜流1、小笠原 凱1、伊藤 佑太1、横川 凌1,2、志村 洋介3,4、Roger Loo5、Anurag Vohra5,6、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.静大院工、4.静大電研、5.imec、6.K. U. Leuven)

キーワード:無歪GeSn

GeはSn添加や引張歪の印加でバンドギャップが縮小し,直接遷移型半導体への変調が可能である.高効率の発光・受光材料としての応用を目的として,Geを直接遷移化するために必要なSn組成が検討されている.本報告では,歪印加によるバンドギャップ縮小とSn添加によるバンドギャップ縮小を分けて議論するため,無歪GeSn(Sn 9%)のPL測定で検出された発光線の帰属を以前の報告より詳細に考察し,そのバンド構造を議論する.