[25p-D315-1~18] 3.9 テラヘルツ全般

[25p-D315-1] 放熱用InP導電層導入による共鳴トンネルダイオードの大面積動作

〇田中 大基¹、藤方 秀成¹、韓 非凡¹、石川 暁¹、鈴木 左文¹、浅田 雅洋¹ (1.東京工業大学)

キーワード：テラヘルツ、共鳴トンネルダイオード

共鳴トンネルダイオード (RTD) は、コンパクトな室温テラヘルツ(THz)光源として期待されている。しかし、RTDは2 μm² 程度の小面積でも熱破壊され、1THz で10 uW 程度の発振しか得られていない。そこで、RTD層下の導電層を熱伝導率の低いn⁺-InGaAsから高いn⁺-InPに変更し、基板上に作製したRTDメサのIV測定を行った。その結果、従来の約3倍の6 μm² までRTDが動作した。矩形空洞共振器を集積THz発振器では、厚い電極による放熱経路により更に大面積動作が可能であり、1 THz において単体でmW級動作が可能である。