[25p-D315-1~18] 3.9 テラヘルツ全般

[25p-D315-14] 非対称二重格子ゲートHEMTテラヘルツ検出素子のパルス応答

〇根来 拓海¹、成田 健一¹、瀧田 佑馬²、伊藤 弘昌²、南出 泰亜²、尾辻 泰一¹、佐藤 昭¹ (1.東北大電気通信研究所、2.理研光量子工学研究センター)

キーワード：テラヘルツ検出、高電子移動度トランジスタ

InP系高電子移動度トランジスタをベースとする非対称二重回折格子ゲートテラヘルツ検出素子での、ゲート電極から信号を取り出す方式において、ゲート電圧の印加によってパルス応答が異なることが測定された。それについて、各電圧印加時のバンド状態を考察することで、現象の解明を行い、キャリア供給層内のドナー準位が原因であることを結論づけた。