[25p-D315-1~18] 3.9 テラヘルツ全般

[25p-D315-9] カスケードプロセスを用いたテラヘルツパラメトリック発生器

〇(M2)嶺 颯太¹、阿部 光樹¹、川瀬 晃道¹、村手 宏輔¹ (1.名大院工)

キーワード：テラヘルツ波

光注入型テラヘルツパラメトリック発生器からカスケード的に発生する高次THz波の外部への取り出しを可能とし、高出力化を実現した。高次THz波は、角度位相整合条件により結晶深部で発生するため、結晶の吸収ロスにより外部への取り出しが困難であった。そこで、励起光をTHz波取り出し面で全反射させることにより吸収ロスを抑えることや、高次THz波の発生する結晶位置に合わせてSiカプラ位置を最適化し、高次THz波の取り出しに成功した。