[25p-E102-1~19] 17.2 グラフェン

[25p-E102-8] THz-TDSEを用いたr面サファイア基板上グラフェンの電気的特性評価

〇(M2)鈴木 拓輝¹、渡邉 迅登¹、藤井 高志^1,2、毛利 真一郎¹、岩本 敏志²、福西 康寛³、成塚 重弥³、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.PNP、3.名城大学理工)

キーワード：グラフェン、テラヘルツ、時間領域分光エリプソメトリ

我々はTHz-TDSEを用いて半導体エピ膜の電気的特性評価解析技術を培ってきた。この技術を応用し、グラフェンの電気的特性を評価解析する技術を研究している。単一ドメイングラフェンをテラヘルツ帯透過可能な絶縁基板上にCVD法で直接成長可能になった。しかし、これは異方性基板であるため、異方性を考慮した偏光解析が必要である。今回、異方性基板を考慮したグラフェンの電気的特性評価解析技術について発表する。