[25p-E202-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [25p-E202-14] The effect of growth temperature on NiO thin films by mist CVD

〇Yoji Ueno¹, Takumi Ikenoue¹, Masao Miyake¹, Tetsuji Hirato¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:wide gap, NiO, thin film

本研究では、ミスト CVD 法を用いたMgO (100) 基板上 NiO 薄膜成長について、成長温度の影響を調べた。XRD による解析から、成長温度200–600 °C で NiO のエピタキシャル成長が確認された。一方、700 °C 以上の試料は基板由来の Mg の拡散が示唆された。AFM で表面状態を観察すると、200–500 °Cでは島状成長が確認された一方、600 °C では非常に平坦な膜が成長していることが分かった。講演会では、エピタキシャル歪みの緩和に伴う結晶性の変化についても議論する。