The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[25p-E202-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Mar 25, 2022 1:30 PM - 5:30 PM E202 (E202)

Rie Togashi(Sophia Univ.), Magari Yusaku(Simane Univ.)

3:30 PM - 3:45 PM

[25p-E202-8] Fabrication of highly-oriented β-Ga2O3 thin films on polymers by UV laser annealing

〇(M1)Ryoya Kai1, Kazuki Watanabe1, Tomoaki Oga1, Satoru Kaneko2,1, Akifumi Matsuda1, Mamoru Yoshimoto1 (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:ELA, polymer substrate, Ga2O3

ポリマー基板上にβ-Ga2O3薄膜を作製することで、ワイドギャップ半導体を用いたフレキシブルデバイスとしての応用が期待される。我々のグループが見出したELAによる結晶化プロセスは、高温成膜や電気炉による従来の熱処理と比べて、ポリマー基板の損傷を抑えた結晶化が期待できる。本研究では、ELAプロセスによるポリマー基板上β-Ga2O3高配向膜の作製、およびシード層・熱バリア層導入の効果について検討した。