[25p-E202-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [25p-E202-8] Fabrication of highly-oriented β-Ga₂O₃ thin films on polymers by UV laser annealing

〇(M1)Ryoya Kai¹, Kazuki Watanabe¹, Tomoaki Oga¹, Satoru Kaneko^2,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:ELA, polymer substrate, Ga2O3

ポリマー基板上にβ-Ga₂O₃薄膜を作製することで、ワイドギャップ半導体を用いたフレキシブルデバイスとしての応用が期待される。我々のグループが見出したELAによる結晶化プロセスは、高温成膜や電気炉による従来の熱処理と比べて、ポリマー基板の損傷を抑えた結晶化が期待できる。本研究では、ELAプロセスによるポリマー基板上β-Ga₂O₃高配向膜の作製、およびシード層・熱バリア層導入の効果について検討した。