[25p-E202-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [25p-E202-8] 紫外レーザーアニールによるポリマー基板上β-Ga₂O₃高配向膜の作製

〇(M1)甲斐 稜也¹、渡邉 一樹¹、大賀 友瑛¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：エキシマレーザーアニーリング、ポリマー基板、酸化ガリウム

ポリマー基板上にβ-Ga₂O₃薄膜を作製することで、ワイドギャップ半導体を用いたフレキシブルデバイスとしての応用が期待される。我々のグループが見出したELAによる結晶化プロセスは、高温成膜や電気炉による従来の熱処理と比べて、ポリマー基板の損傷を抑えた結晶化が期待できる。本研究では、ELAプロセスによるポリマー基板上β-Ga₂O₃高配向膜の作製、およびシード層・熱バリア層導入の効果について検討した。