[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [25p-E203-14] 熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定

〇(B)長嶋 佑哉¹、木村 友哉²、洗平 昌晃^2,3、長川 健太²、草場 彰⁴、寒川 義裕⁴、白石 賢二^2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.九州応力研)

キーワード：半導体、HVPE、GaN