[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25p-E203-15] TMGa供給によるNH₃活性化のTOF-MS気相解析

〇箭原 大輔¹、叶 正²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名古屋大工、2.名大未来材料シス研、3.名大赤碕記念研、4.名大VBL)

キーワード：気相反応

窒化物半導体MOVPE成長においてV/IIIは重要なパラメータであり，成長レート，組成，モフォロジー，欠陥形成，不純物取り込み等に大きな影響を与える．NH₃の気相中での反応性の理解は，より正確な実験的成長機構の解明やシミュレーションに基づいた高度な結晶成長技術の実現に寄与すると考えられる．本研究では，TMGa供給がNH₃の活性化に与える影響について解析を行った．結果として，TMGaのNH₃交換反応に対する触媒効果が明らかになった．