2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

2022年3月25日(金) 13:30 〜 18:15 E203 (E203)

荒木 努(立命館大)、菊池 昭彦(上智大)、小田 将人(和歌山大)

17:45 〜 18:00

[25p-E203-16] SiC/Si基板上に成長した窒化物半導体層内ボイドの形成メカニズム

〇奥 友則1、百瀬 健1、霜垣 幸浩1、出浦 桃子1 (1.東大院工)

キーワード:ボイド、GaN、Si基板

我々は窒化物半導体成長用の基板として,Si基板表面炭化により作製したSiC/Si基板の利用を提案している。また,窒化物半導体層に発生する内部応力に対しては,SiC/Si界面と成長層/SiC界面近傍に導入するボイドの両方を用いた2段階での緩和を提案しており,この応力緩和効果はラマン分光法により証明されている。本発表では,成長層/SiC界面近傍に形成するボイドの形成メカニズムを調べた。