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△ [25p-E203-16] SiC/Si基板上に成長した窒化物半導体層内ボイドの形成メカニズム
キーワード:ボイド、GaN、Si基板
我々は窒化物半導体成長用の基板として,Si基板表面炭化により作製したSiC/Si基板の利用を提案している。また,窒化物半導体層に発生する内部応力に対しては,SiC/Si界面と成長層/SiC界面近傍に導入するボイドの両方を用いた2段階での緩和を提案しており,この応力緩和効果はラマン分光法により証明されている。本発表では,成長層/SiC界面近傍に形成するボイドの形成メカニズムを調べた。