[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [25p-E203-16] SiC/Si基板上に成長した窒化物半導体層内ボイドの形成メカニズム

〇奥 友則¹、百瀬 健¹、霜垣 幸浩¹、出浦 桃子¹ (1.東大院工)

キーワード：ボイド、GaN、Si基板

我々は窒化物半導体成長用の基板として，Si基板表面炭化により作製したSiC/Si基板の利用を提案している。また，窒化物半導体層に発生する内部応力に対しては，SiC/Si界面と成長層/SiC界面近傍に導入するボイドの両方を用いた2段階での緩和を提案しており，この応力緩和効果はラマン分光法により証明されている。本発表では，成長層/SiC界面近傍に形成するボイドの形成メカニズムを調べた。