[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25p-E203-9] β-Ga₂O₃(-201)基板へのAlNとGaNのRF-MBE成長.

〇(M1)山口 朋也¹、早崎 真洸¹、橋本 真理¹、山口 智広¹、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹、桝谷 聡士²、佐々木 公平²、倉又 朗人² (1.工学院大学、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム

β-Ga₂O₃は大口径基板を融液成長させることが可能で、安価なパワーデバイス用材料として注目されている。しかし、これまでのところ、p型 β-Ga₂O₃は実現していない。そこで、本研究では、p型AlGaNとのヘテロ接合を検討している。今回は、(-201)面へのAlN及びGaNのRF-MBE成長を行った。基板の成長前処理と低温緩衝層の挿入により、多結晶化や基板との剥離の改善、表面平坦性の改善、PL半値全幅の低減、等の結果が得られた。成長条件や、評価結果についての詳細を口頭発表にて行う。