[25p-E204-1~17] 6.2 Carbon-based thin films

[25p-E204-1] [The 51st Young Scientist Presentation Award Speech] Normally-Off High-Mobility Diamond FET with a h-BN Gate Insulator

〇Yosuke Sasama¹, Taisuke Kageura¹, Masataka Imura¹, Kenji Watanabe¹, Takashi Taniguchi¹, Takashi Uchihashi¹, Yamaguchi Takahide^1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:diamond, mobility, transistor

これまで水素終端ダイヤモンドに導電性を生じさせるには，外部にアクセプタを付加することが必須であると考えられてきた．我々はアクセプタがなくても導電性を生じさせることができ，むしろ除去することによって水素終端ダイヤモンドFETを高性能化できることを見出した．アクセプタ密度の低減によって，高移動度，低オン抵抗，高オンオフ比，高ドレイン電流密度，ノーマリーオフ動作を兼ね備えた高性能なFETを実現した．