[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [25p-E204-13] フタロシアニンイオン注入により形成されたNVセンターのコヒーレンス時間の評価

〇(M2)木村 晃介^1,2、小野田 忍^2,3、Sailer Roberto³、Lang Johannes³、Findler Christoph³、山田 圭介²、加田 渉¹、寺地 徳之⁴、磯谷 順一⁵、Jelezko Fedor³、花泉 修¹、大島 武² (1.群馬大、2.量研、3.ウルム大、4.物材機構、5.筑波大)

キーワード：ダイヤモンド、NVセンター、フタロシアニン

ダイヤモンド中の窒素・空孔（NV）センターは、室温で優れた磁気光学特性をもつ量子ビットとして知られている。双極子結合したNVセンター配列は、多量子ビット量子レジスタとして利用できる。分子イオン注入はNVセンター配列を形成できる技術の1つである。本研究では、窒素を8つ含むフタロシアニンイオンを注入した。形成されたNVセンター電子スピンのコヒーレンス時間をHahn echo法やXY-8法を用いて評価し、その結果について報告する。