[25p-E204-1~17] 6.2 Carbon-based thin films

△ [25p-E204-2] Fabrication and electrical characterization of n⁺-Si/p-diamond heterojunction diodes

〇(DC)Yota Uehigashi¹, Shinya Ohmagari², Hitoshi Umezawa², Hideaki Yamada², Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.AIST)

Keywords:surface activated bonding, diamond, heterojunction diodes

ダイヤモンドは高い物性値(絶縁破壊電界、移動度など)を有することから次世代のパワーデバイスへの応用が期待される。しかし、n型ダイヤモンドの導電性制御に課題を抱えており、pnダイオードの報告は少ない。我々はp型ダイヤモンドとn型Siを接合し、従来のダイヤモンドデバイスに代わるpnダイオードを作製、ダイオード特性を実証した。講演では、Si/ダイヤモンド界面の電子物性に関し議論する。