[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [25p-E204-2] n⁺-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価

〇(DC)上東 洋太¹、大曲 新矢²、梅沢 仁²、山田 英明²、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市大院工、2.産総研)

キーワード：表面活性化接合、ダイヤモンド、ヘテロ接合ダイオード

ダイヤモンドは高い物性値(絶縁破壊電界、移動度など)を有することから次世代のパワーデバイスへの応用が期待される。しかし、n型ダイヤモンドの導電性制御に課題を抱えており、pnダイオードの報告は少ない。我々はp型ダイヤモンドとn型Siを接合し、従来のダイヤモンドデバイスに代わるpnダイオードを作製、ダイオード特性を実証した。講演では、Si/ダイヤモンド界面の電子物性に関し議論する。