2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

2022年3月25日(金) 13:30 〜 18:15 E204 (E204)

岩崎 孝之(東工大)、徳田 規夫(金沢大)、森下 弘樹(京大)、渡邊 幸志(産総研)

14:30 〜 14:45

[25p-E204-5] 高温イオン照射によるhBN中ホウ素空孔欠陥形成

〇鈴木 哲太1,2、山崎 雄一2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、松下 雄一郎4、西谷 侑将4、増山 雄太2、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼玉大、2.量研、3.NIMS、4.東工大)

キーワード:六方晶窒化ホウ素、ホウ素空孔欠陥、ODMR

六方晶窒化ホウ素(hBN)中ホウ素空孔欠陥(VB)の形成について、より高い不要欠陥除去能が期待される高温イオン照射によるVB形成を行った。hBN薄膜に対して、N2イオンを200~800℃の高温下で照射してVBを形成した。作製した試料で得られたODMRスペクトルから、高温照射がODMRコントラストの向上、さらには乱れた結晶構造の回復にも有効な欠陥形成法であることを示した。