[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[25p-E204-5] 高温イオン照射によるhBN中ホウ素空孔欠陥形成

〇鈴木 哲太^1,2、山崎 雄一²、谷口 尚³、渡邊 賢司³、松下 雄一郎⁴、西谷 侑将⁴、増山 雄太²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大、2.量研、3.NIMS、4.東工大)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、ホウ素空孔欠陥、ODMR

六方晶窒化ホウ素(hBN)中ホウ素空孔欠陥(V_B)の形成について、より高い不要欠陥除去能が期待される高温イオン照射によるV_B形成を行った。hBN薄膜に対して、N₂イオンを200~800℃の高温下で照射してV_Bを形成した。作製した試料で得られたODMRスペクトルから、高温照射がODMRコントラストの向上、さらには乱れた結晶構造の回復にも有効な欠陥形成法であることを示した。