[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [25p-E204-9] 爆轟法ナノダイヤモンド中のGeV中心を用いた温度センシング

〇(M2)内田 岳¹、藤原 正規¹、大木 出¹、劉 明²、鶴井 明彦²、吉川 太朗²、西川 正浩²、水落 憲和¹ (1.京大化研、2.ダイセル)

キーワード：GeV中心、ナノダイヤモンド、爆轟法

IV族元素を含むダイヤモンド色中心は光のみを用いた温度測定ができることから細胞内の局所的な温度変化を計測するプローブとして有望である。近年、我々は爆轟法で合成したナノダイヤモンド中のケイ素-空孔(SiV)中心を用いて温度センシングを実証した。本研究では、多色イメージングへの応用に向け、爆轟法ナノダイヤモンド中のゲルマニウム-空孔(GeV)中心を用いて温度変化に対する蛍光スペクトルの応答を調べた。